| 型号：NE3514S02-T1D-A | 类别：RF FET | 制造商：CEL |
| 封装：4-SMD，扁平引线 | 描述：HJ-FET NCH 10DB S02 | |
详细参数
| 类别 | RF FET |
|---|---|
| 描述 | HJ-FET NCH 10DB S02 |
| 系列 | - |
| 制造商 | CEL |
| 晶体管类型 | HFET |
| 频率 | 20GHz |
| 增益 | 10dB |
| 电压_测试 | 2V |
| 额定电流 | 70mA |
| 噪音数据 | 0.75dB |
| 电流_测试 | 10mA |
| 功率_输出 | - |
| 电压_额定 | 4V |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装 | S02 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市珩瑞科技有限公司 | 李小姐86-0755-82578309/18898790342 |
| 中科航芯（深圳）科技有限公司 | 李18927479189 |
| 深圳市楷瑞达科技电子有限公司 | 朱先生13528893675 |
| 深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
| 深圳市金芯阳科技有限公司 | 刘生075584505750 |
| 深圳市科翼源电子有限公司 | 朱小姐13510998172 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
| 深圳市易信优科技有限公司 | 陈佳隆0755-23914006/18318877587 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
NE3514S02-T1D-A相关型号
- NE5511279A-T1-A
RF FET
CEL
4-SMD，扁平引线
MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A
- HM2P95PNF120GFLF
背板 - 硬公制，标准
FCI
CONN HEADER 200POS TYPE DE VERT
- MFR-25FRF-86R6
通孔电阻器
Yageo
轴向
RES 86.6 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- MT4LSDT864HG-133G2
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
144-SODIMM
MODULE SDRAM 64MB 144SODIMM
- NE3509M04-A
RF FET
CEL
SOT-343F
AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI
- NLFC453232T-6R8M-PF
固定式
TDK Corporation
1812（4532 公制）
INDUCTOR SHIELD 6.8UH 20% 1812
- NOSE227M006R0080
氧化铌
AVX Corporation
2917（7343 公制）
CAP NIOB OXIDE 220UF 6.3V 2917
- NE5517NG
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
ON Semiconductor
16-DIP（0.300＂，7.62mm）
IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP
- MT5000-3/64-X-STK
热缩管
TE Connectivity
200-SODIMM
HEAT SHRINK TUBING
- MT4VDDT1664AG-335F3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
184-DIMM
MODULE DDR 128MB 184-DIMM
- MFR-25FRF-887K
通孔电阻器
Yageo
轴向
RES 887KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- HM2R01PA5100N9LF
背板 - 硬公制，标准
FCI
CONN RECEPT 110POS TYPE A R/A
- NE3509M04-T2-A
RF FET
CEL
SOT-343F
AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
- NOSV477M006R0075
氧化铌
AVX Corporation
2924（7361 公制）
CAP NIOB OXIDE 470UF 6.3V 2924
- NLFV25T-100K-PF
固定式
TDK Corporation
非标准
INDUCTOR SHIELD 10UH 10% 252018
- MT5000-3/8-2-SP
热缩管
TE Connectivity
200-SODIMM
HEAT SHRINK TUBING
- NE5531079A-T1-A
RF FET
CEL
4-SMD，扁平引线
FET RF LDMOS 460MHZ 7.5V 79A
- MT4VDDT1664HG-335F3
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE SDRAM DDR 128MB 200SODIMM
- MFR-25FRF-8K06
通孔电阻器
Yageo
轴向
RES 8.06KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- HM2R02PA5101E9
背板 - 硬公制，标准
FCI
CONN RECEPT 125POS TYPE B R/A
- NLFV25T-330K-PF
固定式
TDK Corporation
非标准
INDUCTOR SHIELD 33UH 10% 252018
- NOSW476M004R0150
氧化铌
AVX Corporation
2312（6032 公制）
CAP NIOB OXIDE 47UF 4V 2312
- NE5532AD8R2G
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
ON Semiconductor
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC
- MT5000-3/8-9-SP
热缩管
TE Connectivity
HEAT SHRINK TUBING
- MFR-25FRF-8K66
通孔电阻器
Yageo
轴向
RES 8.66KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- MT4VDDT1664HY-40BK1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE DDR SDRAM 128MB 200SODIMM
- NE3515S02-T1C-A
RF FET
CEL
4-SMD，扁平引线
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
- HM2R02PA5108E9
背板 - 硬公制，标准
FCI
CONN RECEPT 125POS TYPE B R/A
- NLFV25T-470K-PF
固定式
TDK Corporation
非标准
INDUCTOR SHIELD 47UH 10% 252018
- NOSW686M002R0150
氧化铌
AVX Corporation
2312（6032 公制）
CAP NIOB OXIDE 68UF 2.5V 2312
- MT5000-3/8-X-SP
热缩管
TE Connectivity
HEAT SHRINK TUBING
- MT4VDDT3264HG-40BF2
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
200-SODIMM
MODULE DDR 256MB 200-SODIMM
- MFR-25FRF-90R9
通孔电阻器
Yageo
轴向
RES 90.9 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- NE5532ADG4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
Texas Instruments
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
IC OPAMP GP 10MHZ DUAL LN 8SOIC
- HM2R02PA5108N9SET
背板 - 硬公制，标准
FCI
CONN RECEPT 125POS TYPE B R/A
- NE3X1WH6-A
布线管，配线管道
Panduit Corp
4-SMD，扁平引线
DUCT SLT H FREE AD WH 3X1＂(6=6’)
- NOSX107M004R0100
氧化铌
AVX Corporation
2917（7343 公制）
CAP NIOB OXIDE 100UF 4V 2917
- NLFV25T-470K-PF
固定式
TDK Corporation
非标准
INDUCTOR SHIELD 47UH 10% 252018
- MT52FN
插线台，插座面板
Switchcraft Inc.
CONN PATCHBAY 52JACKS 1.75＂
- NE5532D8G
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
ON Semiconductor
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC
